兩院院士嚴(yán)東生逝世,三任總書(shū)記三任總理同送別

三任總書(shū)記、三任總理，同時(shí)送別逝者，今年以來(lái)較為少見(jiàn)。
 

“網(wǎng)站建設(shè)”（中信時(shí)代）注意到，近兩年來(lái)，最年長(zhǎng)退休常委宋平只為嚴(yán)東生和老紅軍王丹一（7月逝世）等少數(shù)逝者送過(guò)花圈。

鐫刻中國(guó)科技發(fā)展烙印的一生

出生于1918年的嚴(yán)東生，17歲時(shí)考入清華大學(xué)化學(xué)系，1946年赴美留學(xué)，在伊利諾伊大學(xué)，主修陶瓷工學(xué)。1949年春，他以全A成績(jī)獲得陶瓷學(xué)博士學(xué)位，被授予四個(gè)榮譽(yù)學(xué)會(huì)的“金鑰匙獎(jiǎng)”。畢業(yè)后，嚴(yán)東生受邀留在伊利諾伊大學(xué)做博士后，繼續(xù)從事陶瓷等無(wú)機(jī)材料的研究。

 

1950年，嚴(yán)東生回國(guó)，先后任開(kāi)灤化工研究所副所長(zhǎng)、唐山交通大學(xué)任教授，后調(diào)入中國(guó)科學(xué)院冶金陶瓷研究所工作。1973年，中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所成立后，嚴(yán)東生任所長(zhǎng)，后歷任中科院黨組書(shū)記、副院長(zhǎng)。
 

“廈門(mén)網(wǎng)站建設(shè)”（中信時(shí)代）注意到，嚴(yán)東生的一生，鐫刻著中國(guó)科技發(fā)展的烙印。

1956年，中央提出制定《1956—1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃綱要》，號(hào)召“向科學(xué)進(jìn)軍”。當(dāng)時(shí)，參與討論和制定《規(guī)劃》的科研人員大多是德高望重的老科學(xué)家，而年僅38歲的嚴(yán)東生也在受邀之列。

1984年，嚴(yán)東生又代表中科院黨組向時(shí)任中央書(shū)記處書(shū)記胡耀邦匯報(bào)了“關(guān)于中國(guó)科學(xué)院科技體制改革的匯報(bào)提綱”，經(jīng)書(shū)記處批準(zhǔn)于全院試行。據(jù)報(bào)道，此舉間接催生了中關(guān)村的崛起。

“廈門(mén)網(wǎng)站建設(shè)”（中信時(shí)代）注意到，嚴(yán)東生還有一個(gè)稱號(hào)——“科學(xué)外交家”。

據(jù)中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所副所長(zhǎng)楊建華介紹，嚴(yán)東生的英語(yǔ)嫻熟流利。在擔(dān)任中科院副院長(zhǎng)后，嚴(yán)東生與國(guó)際科學(xué)家進(jìn)行無(wú)障礙對(duì)話，推動(dòng)中國(guó)科學(xué)界對(duì)外交流。

1982年，諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主丁肇中來(lái)北京找嚴(yán)東生，詢問(wèn)能否為當(dāng)時(shí)世界上的正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)提供新型鍺酸鉍（BGO）閃爍晶體，要求尺寸大、數(shù)量多。嚴(yán)東生毫不猶豫地接受了丁肇中的請(qǐng)求。在硅酸鹽所，嚴(yán)東生和同事們?cè)谝延械慕?jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，大膽創(chuàng)新突破，發(fā)明了BGO晶體生長(zhǎng)新工藝，并在國(guó)際評(píng)比中擊敗了各國(guó)晶體，獲得了核子中心的訂單。


 

撰稿/新京報(bào)記者鄭書(shū)  實(shí)習(xí)生何強(qiáng) 校對(duì)：陸愛(ài)英 

責(zé)任編輯：瞿崑 SN117